Grundlegende Einführung des Siliziumnitrid -Substrats

1. Materialeigenschaften

Hochleistungsdichte:Siliziumnitridsubstratverfügt über eine ausgezeichnete Stromversorgung und ist für die Anwendung elektronischer Hochleistungsgeräte geeignet.

Hohe Umwandlungseffizienz: Während des Leistungsumwandlungsverfahrens kann Siliziumnitrid -Substrat eine hohe Umwandlungseffizienz aufrechterhalten und den Energieverlust verringern.

Hochtemperaturleistung: Siliziumnitrid -Substrat hat eine hervorragende Hochtemperaturstabilität und kann in einer Hochtemperaturumgebung für eine lange Zeit ohne Leistungsverschlechterung aufgrund der Temperatursteigerung stabil funktionieren.

Hohe Geschwindigkeit: In Hochfrequenzschaltungen können Siliziumnitridsubstrate eine Leistung mit niedriger Verlust und Hochgeschwindigkeitsübertragung liefern.

Hohe thermische Leitfähigkeit: Das Siliziumnitrid -Substrat hat eine hohe thermische Leitfähigkeit und kann die Wärme effektiv exportieren, um eine Schädigung der elektronischen Geräte aufgrund von Überhitzung zu vermeiden.

Niedriger thermischer Expansionskoeffizient: Dies trägt zur Aufrechterhaltung der Stabilität und Zuverlässigkeit des Stromkreises und zur Verringerung der durch Temperaturänderungen verursachten thermischen Spannungen.

Hohe thermische Schockfestigkeit: Es kann die strukturelle Integrität in einer Umgebung mit schnellen Temperaturänderungen aufrechterhalten.

Ausgezeichnete mechanische Eigenschaften: hohe Biegefestigkeit und Frakturzähigkeit, mehr als doppelt so hoch wie bei Aluminiumnitrid und Aluminiumoxid.

2. Anwendungsfelder

Elektronische Leiterplatten: Siliziumnitrid -Substrate werden im Feld der elektronischen Schaltplatten weit verbreitet, insbesondere in Situationen, in denen hohe Temperatur, Hochfrequenz und hohe Leistungsdichte erforderlich sind.

Integrierte Schaltkreise: Als Substratmaterial integrierter Schaltungen bietet es stabile Unterstützung und Wärmeableitungsfunktionen.

Neue Energiefahrzeuge: Siliziumnitridsubstrate spielen eine wichtige Rolle bei der Stromumwandlung und beim Antriebssystemen neuer Energiefahrzeuge.

Luft- und Raumfahrt: Aufgrund seiner hervorragenden Hochtemperaturwiderstand und mechanischen Eigenschaften werden Siliziumnitridsubstrate auch im Luft- und Raumfahrtfeld verwendet.

Schienenverkehr: Im Stromversorgungssystem des Schienenverkehrs haben Siliziumnitrid -Substrate auch umfassende Anwendungsaussichten.

3. Marktaussichten

Das Wachstum des Marktnachfrage: Mit der raschen Popularisierung elektronischer Produkte wie Elektrofahrzeuge und Smartphones sowie der schnellen Entwicklung von 5G -Kommunikation, Beleuchtungsmärkten und anderen Bereichen wächst die Marktnachfrage nach Siliziumnitrid -Substraten weiter.

Technologische Innovation und Fortschritt: Mit der kontinuierlichen Innovation und dem Fortschritt der Siliziumnitrid -Substrat -Technologie wird die Leistung weiter verbessert, was die Populär- und Anwendung auf dem Markt fördern wird.

Kostenreduzierung: Obwohl die Herstellungskosten für Siliziumnitridsubstrate derzeit relativ hoch sind, werden die Herstellungskosten mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Technologie und der kontinuierlichen Expansion des Marktes voraussichtlich allmählich sinken.