Materialeigenschaften von Siliziumnitridsubstraten

Hochleistungsdichte:Siliziumnitridsubstrateverfügen über eine ausgezeichnete Leistungskapazität und eignet sich für Anwendungen in elektronischen Hochleistungsgeräten.

Hohe Umwandlungseffizienz: Während des Leistungsumwandlungsverfahrens können Siliziumnitridsubstrate eine hohe Umwandlungseffizienz aufrechterhalten und den Energieverlust verringern.

Hochtemperaturleistung: Siliziumnitrid-Substrate haben eine hervorragende Hochtemperaturstabilität und können in einer Hochtemperaturumgebung für eine lange Zeit stabil funktionieren, ohne dass eine Leistungsverschlechterung aufgrund des Temperaturanstiegs ist.

Hohe Geschwindigkeit: In Hochfrequenzschaltungen kann Siliziumnitridsubstrate eine Hochgeschwindigkeitsübertragungsleistung mit niedrigem Verlust liefern.

Hohe thermische Leitfähigkeit: Siliziumnitridsubstrate haben eine hohe thermische Leitfähigkeit und können Wärme effektiv exportieren, um eine Schädigung elektronischer Geräte aufgrund von Überhitzung zu vermeiden.

Niedriger thermischer Expansionskoeffizient: Dies hilft, die Stabilität und Zuverlässigkeit des Stromkreises aufrechtzuerhalten und die durch Temperaturänderungen verursachten thermischen Spannungen zu verringern.

Hoher thermischer Schockwiderstand: In der Lage, die strukturelle Integrität in einer Umgebung mit schnellen Temperaturänderungen aufrechtzuerhalten.

Ausgezeichnete mechanische Eigenschaften: hohe Biegefestigkeit und Frakturzähigkeit, mehr als doppelt so hoch wie bei Aluminiumnitrid und Aluminiumoxid.