Einführung in die Halbleiterkeramik

Durch Halbleitermessungen haben Keramik semikonduktische Körner und Isolier- (oder Halbleiter-) Korngrenzen und zeigen somit starke Grenzflächenbarrieren und andere Halbleitereigenschaften.

Es gibt zwei Hauptmethoden zur Halbleiterin der Keramik: Erzwungenerreduktionsmethode und Spender -Doping -Methode (auch als Atomvalenzkontrollmethode bezeichnet). Beide Methoden bilden Defekte wie Ionenleerstellen in den Keramikkristallen, wodurch eine große Anzahl von leitenden Elektronen bereitgestellt wird, wodurch die Körner in der Keramik zu einem bestimmten Typ (normalerweise N-Typ) Halbleiter werden. Die Zwischenschicht zwischen diesen Körnern ist eine Isolierschicht oder eine andere Halbleiterschicht vom Typ P-Typ (P-Typ).

Es gibt viele Arten vonHalbleiterkeramik, einschließlich verschiedener negativer Temperaturkoeffizient -Thermistoren, die mit den Eigenschaften der Körner in der Halbleiterkeramik hergestellt wurden; Halbleiterkondensatoren, ZnO -Varistoren, Batio3 Positive Temperaturkoeffizienten, CDs/Cu2S -Solarzellen, die unter Verwendung der Eigenschaften von Korngrenzen hergestellt wurden; und verschiedene keramische hygroskopische Widerstände und gasempfindliche Widerstände, die unter Verwendung von Oberflächeneigenschaften hergestellt wurden. Tabelle 2 listet typische Halbleiterkeramik für Sensoren auf.

Die photoelektrische CDS/CU2S -Keramik unterscheiden sich von der in der obigen Tabelle aufgeführten Halbleiterkeramik, in der die Eigenschaften der Isolierkorngrenzschicht verwendet werden. Sie verwenden den photovoltaischen Effekt der PN-Heteroübergang zwischen den CDs vom Typ N-Typ und Cu2s-Korngrenzschichten vom P-Typ. Aus ihnen hergestellte Keramik -Solarzellen können als Stromquellen für unbemannte Stationen und als photoelektrische Kopplungsgeräte in elektronischen Instrumenten verwendet werden.