Was ist Aluminiumnitrid -Aln -Substrat?

EinAluminiumnitrid -Substrat (ALN)ist ein Material, das in verschiedenen technologischen Anwendungen verwendet wird, insbesondere im Bereich der Elektronik und Halbleiter. Hier ist ein detaillierter Überblick darüber, was ein ALN ​​-Substrat ist:

Komposition und Eigenschaften

Zusammensetzung: ALN ist eine Verbindung, die aus Aluminium- und Stickstoffatomen besteht, die in einer spezifischen kristallinen Struktur miteinander verbunden sind.

Eigenschaften:

Hohe thermische Leitfähigkeit: ALN hat eine ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit, die typischerweise zwischen 170 und 190 W/mk bei Raumtemperatur liegt. Dies macht es für Anwendungen geeignet, bei denen die Wärmeabteilung von entscheidender Bedeutung ist.

Niedriger Wärmeausdehnung (CTE): Der CTE von ALN ​​ist relativ niedrig und kann eng mit bestimmten Halbleitermaterialien wie Galliumnitrid (GaN) abgestimmt werden, was die Produktionsausbeute und die Leistung der Geräte verbessert.

Elektrische Eigenschaften: ALN ist ein ausgezeichneter elektrischer Isolator, wodurch er für die Verwendung in elektronischen Geräten geeignet ist.

Mechanische Festigkeit: Es zeigt eine hohe Biegefestigkeit und ist resistent gegen mechanische Spannungen.

Herstellungsprozesse

Bandguss: Eine Methode zur Herstellung von ALN ​​-Substraten erfolgt über den Klebebandgussprozess, bei dem eine dünne Schicht Aln -Material auf einem Trägersubstrat gebildet wird.

Sintern: Nach der Bildung wird das Aln -Material bei hohen Temperaturen (typischerweise um 1850 ° C) in einer kontrollierten Atmosphäre gesintert, um die gewünschte Dichte und Mikrostruktur zu erreichen.

Anwendungen

Semiconductor -Verarbeitung: ALN -Substrate werden in der Halbleiterindustrie für Anwendungen wie das epitaxiale Wachstum von GaN und andere Materialien häufig verwendet.

LED-Herstellung: Hochvolumige LED-Hersteller verwenden häufig Aln-Substrate aufgrund ihrer hervorragenden thermischen Leitfähigkeit und CTE-Übereinstimmung mit LED-Materialien.

Power Semiconductors: Diese Substrate werden auch in Leistungs -Halbleiter -Geräten verwendet, bei denen eine hohe thermische Dissipation und elektrische Isolierung erforderlich sind.

Vorteile und Anpassung

Vorteile: ALN -Substrate bieten eine Kombination aus hoher thermischer Leitfähigkeit, niedriger CTE und hervorragenden elektrischen Eigenschaften, was sie anderen Materialien wie Saphir in bestimmten Anwendungen überlegen macht.

Anpassung: ALN -Substrate können in Bezug auf Größe, Dicke und Oberflächenbeschaffung angepasst werden, um die spezifischen Anwendungsanforderungen zu erfüllen.

Zusammenfassend ist ein Aluminium-Nitrid-Substrat (ALN) ein Hochleistungsmaterial, das in verschiedenen elektronischen und Halbleiteranwendungen verwendet wird. Die einzigartigen Eigenschaften machen es zu einer idealen Wahl für Anwendungen, die eine hohe thermische Leitfähigkeit, niedrige CTE und eine hervorragende elektrische Isolierung erfordern.