2024-11-12
Die thermische Leitfähigkeit vonSiliziumnitrid -Keramik -Substratist im Allgemeinen 75-80W/(M · k), und die thermische Leitfähigkeit des Aluminium-Nitrid-Keramik-Substrats kann bis zu 170 W/(M · k) betragen. Es ist ersichtlich, dass Aluminium -Nitrid -Keramik -Substrat eine höhere thermische Leitfähigkeit aufweist.
In Bezug auf die mechanische Festigkeit ist das Aluminium -Nitrid -Keramik -Substrat leichter zu brechen als ein Silizium -Nitrid -Keramik -Substrat. Die mechanische Biegefestigkeit des Aluminium -Nitrid -Keramik -Substrats erreicht 450 MPa, und die Biegefestigkeit von Siliziumnitrid -Keramik -Substrat beträgt 800 MPa. Es ist zu erkennen, dass ein hochfestes und hochthermisches Leitfähigkeits-Silizium-Nitrid-Keramik-Substrat eine bessere Biegefestigkeit aufweist, die die Festigkeit und den Einflussresistenz von Siliziumnitrid-Keramikkupfer-Verklemmungsscheibe, schweißender dicker Sauerstoff-Kupfer ohne Keramikrisse verbessern und die Zuverlässigkeit des Unterstrates verbessert.
Aluminiumnitrid -Keramik -Substrate undSiliziumnitrid -Keramik -Substratewerden in den Bereichen LED, Halbleiter und Hochleistungsoptoelektronik häufig verwendet und in Feldern mit relativ hohen Anforderungen für die thermische Leitfähigkeit verwendet. Siliziumnitrid -Keramiksubstrate haben die Eigenschaften hoher Festigkeit, hoher Wärmeleitfähigkeit und hoher Zuverlässigkeit. Schaltkreise können durch nasssereigeres Verfahren auf der Oberfläche hergestellt werden. Nach der Oberflächenbeschichtung wird ein Substratmaterial für die elektronische Substratmodulverpackung mit hoher Zuverlässigkeit erhalten. Es ist das bevorzugte Substratmaterial für 1681 Leistungssteuermodule für neue Elektrofahrzeuge. In addition, the ceramic substrate industry also involves technologies in many fields such as LED, fine ceramic preparation, thin film metallization, yellow light lithography, laser forming, electrochemical plating, optical simulation, microelectronic welding, etc. The products are widely used in high-power optoelectronic and semiconductor device fields such as power transmitters, photovoltaic devices, IGBT Module, Strom -Thyristoren, Resonatorbasen, Halbleiterverpackungssubstrate usw.